| 碳基復(fù)合材料關(guān)鍵技術(shù) | | 成果類型：新材料 | | 專利號(hào)/登記號(hào)：123456789 | | 權(quán)利人屬性：高校牽頭，企業(yè)參與 | | 發(fā)布時(shí)間：2018-10-1 8:59:45 |
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技術(shù)詳細(xì)介紹技術(shù)詳細(xì)介紹
技術(shù)需求：
1.化學(xué)氣相沉積技術(shù)（CVD技術(shù)）的低成本化研究。期望研發(fā)新型快速增密技術(shù)，進(jìn)一步降低C/C復(fù)合材料沉積周期和成本，實(shí)現(xiàn)C/C復(fù)合材料的低成本化生產(chǎn)，擴(kuò)大C/C復(fù)合材料的應(yīng)用領(lǐng)域。
2.C/C復(fù)合材料抗氧化性能提升。C/C復(fù)合材料在硅晶體生長爐中主要由于硅蒸汽的腐蝕而出現(xiàn)開裂、掉渣等破壞形式，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的使用壽命。期望開發(fā)一種簡單易操作、低成本的抗氧化涂層（SiC涂層為主）來提升C/C復(fù)合材料的抗氧化性能，一方面提高材料的使用壽命，一方面擴(kuò)展C/C復(fù)合材料更大的使用溫度區(qū)間。
預(yù)期目標(biāo)：
1.大尺寸C/C復(fù)合材料經(jīng)過160h的沉積，密度能夠達(dá)到1.4±0.1g/cm3；
2.在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC涂層，實(shí)在C/C復(fù)合材料在400℃的氧化溫度區(qū)間可以無保護(hù)氣氛應(yīng)用，同時(shí)在硅晶體生長爐內(nèi)的使用壽命得到顯著提升。 |
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