| 化學氣相沉積制備高純高性能碳化硅涂層技術 | | 成果類型：新材料 | | 專利號/登記號：123456789 | | 權利人屬性：高校牽頭，企業(yè)參與 | | 發(fā)布時間：2022-4-26 15:05:24 |
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技術詳細介紹技術詳細介紹 高純高性能碳化硅涂層部件是急需實現國產替代進口的關鍵半導體設備零部件。圍繞碳化硅涂層部件國產化問題，研究化學氣相沉積制備高純高性能碳化硅涂層的技術，研究碳化硅晶體化學氣相沉積的形核與生長機制，研究沉積工藝與痕量金屬元素、晶粒組織形貌及碳化硅晶體結構調控的關系、研究沉積工藝對涂層耐熱性能、抗腐蝕性能的影響，研究基體與涂層界面結合強度的調控機制。實現可應用于半導體設備的碳化硅涂層部件的開發(fā)與產業(yè)化。 |
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