技術(shù)詳細(xì)介紹

本項(xiàng)目通過有機(jī)薄膜材料、金屬蒸鍍技術(shù)、電容器結(jié)構(gòu)優(yōu)化等方面的研究，突破技術(shù)壁壘，開發(fā)光伏逆變用高能量密度薄膜電容器，實(shí)現(xiàn)自主可控。主要研究內(nèi)容如下：

（1）高介電常數(shù)有機(jī)薄膜材料研究

通過加入其他有機(jī)物、添加自由基捕獲劑、設(shè)計交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)等手段，改變聚合物內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)、鏈段結(jié)構(gòu)或化學(xué)鍵，提高材料介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度，開發(fā)一種高介電常數(shù)、低介電損耗的有機(jī)薄膜材料，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能的大幅提升。

（2）大幅面高精度金屬蒸鍍技術(shù)

為解決薄膜不耐腐、不耐磨等缺點(diǎn)，采用轉(zhuǎn)移法，通過蒸鍍模式、蒸鍍金屬材料、蒸鍍條件等的優(yōu)化，提高蒸鍍效果；并探討金屬蒸發(fā)速度、薄膜移動速度和真空度等因素對鍍層厚度的影響，獲得最佳蒸鍍參數(shù)，開發(fā)一種高精度金屬蒸鍍技術(shù)。

（3）薄膜電容器結(jié)構(gòu)優(yōu)化與封裝

為減小溫升導(dǎo)致鼓脹、擊穿和包封材料開裂等風(fēng)險，對電容器進(jìn)行詳細(xì)的外觀和內(nèi)部檢查、性能測試和解剖分析，研究薄膜材料、引線結(jié)構(gòu)和封裝形式對電容電氣性能和耐熱性能的影響，獲得完整的電容結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案與封裝工藝。

（4）器件電熱仿真與應(yīng)用

建立電容器電場有限元模型，通過分析電場分布規(guī)律，計算得出電容器的發(fā)熱功率，運(yùn)用有限元模型對電容器進(jìn)行穩(wěn)態(tài)與瞬態(tài)熱仿真分析，并驗(yàn)證所建有限元模型的準(zhǔn)確性，完成電容器的壽命預(yù)測。

二、技術(shù)需求主要指標(biāo)

（1）容值范圍：3.0-200uF；（2）電壓范圍：500-1600V；（3）耐溫濕能力：85℃/85%RH/Vrated /1000h or 60℃/95%RH/Vrated/1000h；（4）使用壽命：100000H@Vrated 70℃。

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