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| 碳基復(fù)合材料關(guān)鍵技術(shù) | | 發(fā)布時間：2018-10-1 8:59:45 | | | | |
技術(shù)需求：
1.化學(xué)氣相沉積技術(shù)（CVD技術(shù)）的低成本化研究。期望研發(fā)新型快速增密技術(shù)，進一步降低C/C復(fù)合材料沉積周期和成本，實現(xiàn)C/C復(fù)合材料的低成本化生產(chǎn)，擴大C/C復(fù)合材料的應(yīng)用領(lǐng)域。
2.C/C復(fù)合材料抗氧化性能提升。C/C復(fù)合材料在硅晶體生長爐中主要由于硅蒸汽的腐蝕而出現(xiàn)開裂、掉渣等破壞形式，嚴重影響了產(chǎn)品的使用壽命。期望開發(fā)一種簡單易操作、低成本的抗氧化涂層（SiC涂層為主）來提升C/C復(fù)合材料的抗氧化性能，一方面提高材料的使用壽命，一方面擴展C/C復(fù)合材料更大的使用溫度區(qū)間。
預(yù)期目標：
1.大尺寸C/C復(fù)合材料經(jīng)過160h的沉積，密度能夠達到1.4±0.1g/cm3；
2.在C/C復(fù)合材料基體表面制備SiC涂層，實在C/C復(fù)合材料在400℃的氧化溫度區(qū)間可以無保護氣氛應(yīng)用，同時在硅晶體生長爐內(nèi)的使用壽命得到顯著提升。 | | | 【刷新頁面】【加入收藏】【打印此文】 【關(guān)閉窗口】 | |
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