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| 單壁碳納米管批量化制備關鍵技術攻關 | | 發(fā)布時間：2024-11-4 15:41:48 | | | |
針對硅基負極材料體積膨脹大、導電率差的問題，通過添加單壁碳納米管可有效提升導電性和循環(huán)穩(wěn)定性。針對單壁碳管量產仍是碳納米管領域難以突破的問題。研究單壁碳納米管的制備技術；研究單壁碳納米管的產業(yè)化技術。
技術指標：1、純度：30%-40% 2、直徑：2-3nm 3、長度：3-5μm 4、比表面積：280-300m2/g 對標：對標俄羅斯OCSiAl公司單壁碳納米管。 1、純度：≥80% 2、直徑：1.2-2.0nm 3、長度：＞5μm 4、比表面積：≥300 m2/g
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